Сп 3263 15: Библиотека государственных стандартов

Разное

Содержание

Приложение 1 [к: ПРОФИЛАКТИКА ИНФЕКЦИОННЫХ ЗАБОЛЕВАНИЙ ПРИ ЭНДОСКОПИЧЕСКИХ ВМЕШАТЕЛЬСТВАХ | Санитарно-эпидемиологические правила СП 3.1.3263-15] — последняя редакция

Дата

Код эндоскопа

Тест на герметичность

Окончательная очистка

Тест на качество очистки

Дезинфекция высокого уровня

ФИО и подпись оператора

Наименование средства

Время начала

Время окончания

Ручной способ

Механизированный способ

Наименование средства ДВУ

Температура рабочего раствора

Концентрация раствора и результат экспресс контроля уровня содержания ДВ в нем

Время начала/окончания дезинфекционной выдержки

Номер МДМ

Номер режима обработки

Наименование средства ДВУ

Концентрация раствора и результат экспресс контроля уровня содержания ДВ в нем

Время окончания цикла

Профилактика инфекционных заболеваний при эндоскопических вмешательствах

Профилактика инфекционных заболеваний при эндоскопических вмешательствах

Борисов Д.А. / 25 Апреля 2021 / просмотров 224
Борисов Дмитрий Александрович, к.э.н., Председатель Правления СРО Национальная Ассоциация медицинских организаций

Требования Роспотребнадзора к стерилизации эндоскопов на этапе оформления санитарно-эпидемиологического заключения для лицензирования

Борисов Д.А.


Выделить главное вкл выкл

Вопрос. Нам предстоит лицензирование и встал вопрос о стерилизации эндоскопических инструментов.

Мы хотим обойтись менее затратным путем, это жидкостная стерилизация в растворе сайдекс в металлическом стерильном (стерилизатор ОП-10) контейнере. СЭС настоятельно рекомендует автоклав, но для него нужно отдельное помещение, которого у нас нет.

Посоветуйте пожалуйста что нужно и подойдет в нашей ситуации. Как работают другие клиники?

Содержание

1. Лицензионные требования к помещениям, необходимым для выполнения работ (услуг) по эндоскопии

2. Необходимость включения в лицензию работ (услуг) по эндоскопии

3. Проверки Росздравнадзором соблюдения лицензионных требований, включая требования санитарных правил, при эндоскопических вмешательствах

4. Соответствие помещений, необходимых для оказания работ (услуг) по эндоскопии, санитарным правилам

5. Проверки Роспотребнадзором соблюдения санитарных правил при эндоскопических вмешательствах

6. Требования санитарных правил CП 3.1.3263-15, регулирующих стерилизацию эндоскопов до 01.09.2021

7. Требования санитарных правил и норм СанПиН 3.3686-21, регулирующих стерилизацию эндоскопов после 01.09.2021

8. Выводы и рекомендации

Список нормативных правовых актов

1. Федеральный закон от 21.11.2011 N 323-ФЗ «Об основах охраны здоровья граждан в Российской Федерации»

2. Федеральный закон от 30.03.1999 N 52-ФЗ «О санитарно-эпидемиологическом благополучии населения»

3. Постановление Правительства РФ от 16.04.2012 N 291 «О лицензировании медицинской деятельности (за исключением указанной деятельности, осуществляемой медицинскими организациями и другими организациями, входящими в частную систему здравоохранения, на территории инновационного центра «Сколково»)»

4. Постановление Правительства РФ от 31.12.2020 N 2467 «Об утверждении перечня нормативных правовых актов и групп нормативных правовых актов Правительства Российской Федерации, нормативных правовых актов, отдельных положений нормативных правовых актов и групп нормативных правовых актов федеральных органов исполнительной власти, правовых актов, отдельных положений правовых актов, групп правовых актов исполнительных и распорядительных органов государственной власти РСФСР и Союза ССР, решений Государственной комиссии по радиочастотам, содержащих обязательные требования, в отношении которых не применяются положения частей 1, 2 и 3 статьи 15 Федерального закона «Об обязательных требованиях в Российской Федерации»

5. Приказ Минздрава России от 31.07.2020 N 785н «Об утверждении Требований к организации и проведению внутреннего контроля качества и безопасности медицинской деятельности»

6. Приказ Минздрава России от 06.12.2017 N 974н «Об утверждении Правил проведения эндоскопических исследований»

7. Постановление Главного государственного санитарного врача РФ от 28.01.2021 N 4 «Об утверждении санитарных правил и норм СанПиН 3.3686-21 «Санитарно-эпидемиологические требования по профилактике инфекционных болезней»

8. Постановление Главного государственного санитарного врача РФ от 24.12.2020 N 44 «Об утверждении санитарных правил СП 2.1.3678-20 «Санитарно-эпидемиологические требования к эксплуатации помещений, зданий, сооружений, оборудования и транспорта, а также условиям деятельности хозяйствующих субъектов, осуществляющих продажу товаров, выполнение работ или оказание услуг»

9. Постановление Главного государственного санитарного врача РФ от 08.06.2015 N 20 «Об утверждении СП 3.1.3263-15 «Профилактика инфекционных заболеваний при эндоскопических вмешательствах»

Доступ ограничен

Доступ ограничен для неавторизованных пользователей

Для авторизации, выберите в верхнем меню пункт ВХОД, нажмите ссылку ВОЙТИ. Далее следуйте инструкциям

Участникам СРО для авторизации необходимо использовать адрес электронной почты, указанный в Реестре

ЗРС С-500 «Прометей»: новая крепостная башня цитадели Крым — Статьи — Армии и войны

На минувшей неделе в системе ПВО и ПРО нашей страны произошло событие, которое американский экспертный журнал The National Interest заранее окрестил «одним из самых прямых и эффективных ответов России на стелс-самолеты США». И именно: 13 октября информагентство ТАСС сообщило, что оборона неба Москвы усилена первым бригадным комплектом новейшей зенитной ракетной системы (ЗРС) С-500 «Прометей» производства АО «Концерн ВКО «Алмаз-Антей». Личный состав бригады уже завершил переобучение в 234-м учебном центре боевого применения зенитно-ракетных войск ПВО в Гатчине, в минувшем июле отстрелялся по скоростной баллистической цели на полигоне Капустин Яр и теперь приступил к боевому дежурству.

Это значит, что отныне дальняя граница зоны поражения воздушных целей вынесена на 640 километров от российской столицы. В любую сторону света. По высоте — до 200 километров. А это уже ближний космос.

Уже во время первых испытаний, состоявшихся в 2019 году, С-500, по данным американской космической разведки, сумел поразить цели на удалении 481,2 километра. Что уже тогда оказалось как минимум на 80 километров больше технических возможностей всех прочих существующих в мире ракетных систем.

Радиолокационный комплекс «Прометея», как утверждают разработчики, способен обнаруживать почти все виды воздушных целей, включая и так называемые самолеты-«невидимки», на удалении до 2000 километров. Ожидается, что С-500 сможет обнаружить и одновременно поразить до десяти головных частей баллистических ракет, летящих на скорости до семи километров в секунду. Для обстрела атакующего противника предназначены 12 пусковых установок бригады на базе тягачей, которые теперь возможно производить как в нашем Брянске, так и в белорусском Минске.

Но главное, видимо, даже не это. Главное — принципиально новый управляющий «мозг» системы, ядром которого является пункт боевого управления 85Ж6−1 «Прометея». Он способен интегрировать оперативное управление огнем всех средств ПВО, прикрывающих Москву. Таких, как С-400, С-300ВМ4, С-350, «Бук-М3» и других, менее совершенных.

Таким образом, новая бригада, вошедшая, скорее всего, в состав 1-й армии противовоздушной и противоракетной обороны особого назначения, эффективно прикрыла не только Москву, но и значительную часть нашего Центрального промышленного района. Настолько надежно? Это хотя и крайне важный, но все же второй вопрос. Главное, что начало боевому дежурству нового оружия положено. Остальное -наживное.

Понятно, что в случае отражения массированного воздушно-космического удара по Москве, огневых возможностей всего одной бригады «Прометеев» может оказаться и недостаточно. По подсчетам отдельных российских военачальников, в составе 1-й армии ПВО и ПРО особого назначения таких соединений у стен столицы следует иметь не менее трех.

Судя по всему, в том числе и с учетом этого обстоятельства производство новейших систем ПВО на предприятиях «Алмаз-Антея» сегодня ведется просто лихорадочными темпами. Во всяком случае, постановка на боевое дежурство нового комплекта «Прометеев» уже анонсирована на первую половину 2022 года. Но, похоже, новое оружие на сей раз Генштаб отправит вовсе не под Москву. Вероятно, вторая бригада этих боевых машин стартовые позиции займет в Крыму.

На такую мысль наводит интервью, которое командующий Южным военным округом генерал армии Александр Дворников дал в марте нынешнего года. По словам генерала, его округ «стоит в приоритете (у Генштаба ВС РФ — „СП“) оснащения современными образцами вооружения, поэтому появление С-500 … может произойти в любой момент».

Словно в подтверждение реальности этого тезиса спустя каких-то пару месяцев, в мае 2021-го, стало известно, что один из зенитных ракетных полков ответственной за безопасность крымского неба 31-й дивизии ПВО приступил к перевооружению на другой новейший комплекс (но, в отличие от «Прометея» — средней дальности) С-350 «Витязь». Очередь, как и намекал Дворников, за С-500?

Впрочем, чему удивляться, если учесть, что по официальным данным российских военных по состоянию на август нынешнего года авиация НАТО в 2021 году сразу в три раза увеличила интенсивность полетов над акваторией Черного моря. Это заявил командующий 4-й армией ВВС и ПВО Южного военного округа генерал-лейтенант Николай Гостев. Он же привел такое сравнение: «В 2019 году авиация наших западных „партнеров“ в южной зоне ответственности выполнила 270 разведывательных полетов, в 2020 году — около 530, а с начала этого года (то есть, напоминаю, к августу — „СП“) уже более 560».

Поэтому Москва — Москвой, но одной столицей нарастающие угрозы воздушно-космического нападения на нашу страну вовсе не исчерпываются. И Крымский полуостров, несмотря на принимаемые меры по его обороне, здесь продолжает выглядеть как весьма рискованное для России направление.

Поэтому — да, в свете происходящих событий новая бригада «Прометеев» в Тавриде будет смотреться вовсе не лишней. Поскольку в случае нужды с ее помощью возможно будет воспретить подъем боевой авиации НАТО и ее оперативно-тактических ракет не только над Черным морем, но и даже с территории Украины, Болгарии, Румынии и Турции. Просто сбивать самолеты прямо над вражескими взлетно-посадочными полосами, во время набора высоты. И дело с концом.

Вам наверняка было бы любопытно узнать, как наш вероятный противник оценивает только что ставшее фактом появление у России нового чудо-оружия? В США ссылаются на недостаток данных для полноценной оценки боевых возможностей наших «Прометеев». Отмечают лишь, что русские заранее позиционируют свои ЗРС как своеобразные «серебряные пули» против спешно создаваемого в Штатах американского малозаметного бомбардировщика прорыва систем ПВО B-21 Raider, который призван стать заменой ныне стоящим у них на вооружении стратегическим бомбардировщикам B-52 Stratofortress, Rockwell B-1 Lancer и B-2 Spirit.

Пять таких экспериментальных машин, как объявил министр американских Военно-воздушных сил Фрэнк Кендалл, уже проходят финальную подготовку на 42-м авиационном заводе в городе Палмдейл (штат Калифорния). Первый испытательный полет B-21 Raider, выполненного по схеме «летающее крыло», назначен на май следующего года.

«Разработанный для выполнения обычных и ядерных задач большой дальности и для действий в условиях высоких угроз завтрашнего дня, B-21 станет реальным и гибким компонентом ядерной триады», — несколько самоуверенно было заявлено в недавнем комментарии ВВС США. Изначально заявленная потребность ВВС США в «Райдерах» — 100 самолётов по максимальной цене 665 миллионов долларов США за штуку. И все это русский «Прометей», если и вправду он окажется «серебряной пулей», уже не завтра, а сегодня способен пустить прахом?

Суть уже возникших у Пентагона сомнений Марк Эпископос, обозреватель уже упомянутого The National Interest, пояснил так: «Конструкторам и разработчикам придётся приложить немало усилий, чтобы перспективный бомбардировщик B-21 Raider смог оставаться незаметным для ЗРК С-500 „Прометей“. Если российская система ПВО, как утверждают сами русские, способна обнаруживать истребители F-35, то, получается, она способна выявлять в небе и B-21, потому что на них используются аналогичные стелс-концепции. Потому нужно уже сейчас совершенствовать варианты пониженной заметности, снижать ЭПР (эффективная площадь рассеяния — „СП“), чтобы „обмануть“ ЗРК С-500 русских».

А может не нужно испытывать судьбу и в реальном бою сталкивать лбами наши «Прометеи» и ваши «Райдеры»? Ни над Москвой, ни над Крымом — нигде? Иначе может оказаться, что и подводить итоги такого сравнения на покрытой радиоактивным пеплом планете окажется просто некому.

Из досье «СП»

На сегодня в боевой состав 31-й дивизии ПВО 4-го командования ВВС и ПВО ЮВО входят 12-й зенитный ракетный полк (Севастополь, вооружен ЗРС С-400 «Триумф»), 18-й гвардейский зенитный ракетный Севастопольско-Феодосийский полк (Феодосия, вооружен ЗРС С-300ПМ «Фаворит» и С-400 «Триумф») и 3-й радиотехнический полк (Севастополь).

Майнинг как козел отпущения — новости Kapital.kz

Overclockers.ru

По предложению Минэнерго, в стране суммарная мощность электроустановок для майнинга не должна превышать 100 мегаватт. В том, что такое ультимативное предложение будет принято, уже почти никто не сомневается. Кроме того, такое решение говорит о том, что на самом деле у нас может не быть никакого хваленого профицита электроэнергии даже на севере страны, а энергетический кризис ближе, чем мы думали — оно еще и отрицательно влияет на инвестиционную привлекательность.

В Китае энергетический кризис, который начался в конце лета — усугубляется, а из-за недостатка электроэнергии уже есть перебои в работе заводов. Электричества не хватает и городам – наблюдаются проблемы с отоплением и даже с работой городской сети светофоров в ряде регионов. Влияние энергетического кризиса в Поднебесной будет иметь и долгосрочные последствия — аналитики из Nomura, Bank of America и Goldman Sachs уже снизили свои прогнозы по увеличению ВВП Китая в 2021 году. Также под угрозой понижения и прогнозы на 2022 год.

В Казахстане всегда хвастались профицитом электроэнергии на севере страны и умеренным дефицитом на юге. Глобальный дефицит прогнозировался только в следующем десятилетии, однако, кажется, что реальность несколько иная. Ограничения, выставленные майнерам, недвусмысленно говорят о том, что никакого глобального и большого профицита электроэнергии – нет. А из-за того, что в последние годы мы откровенно забили на развитие электроэнергетики – столкнуться с настоящим энергетическим кризисом предстоит гораздо раньше, возможно, уже в этом или следующем году.

Майнеры, которые в отличие от металлургических заводов, почти не создают рабочие места, а также не имеют большую популярность у населения, оказались идеальным козлом отпущения. И это несмотря на то, что тех, кто работает в белую, уже обложили внезапным налогом на майнинг, который будет введен с началом следующего года и мог принести республиканскому бюджету несколько десятков миллиардов тенге в совокупности с другими их отчислениями. Самое интересное, что все эти ограничения касаются только тех, кто работает открыто — то есть откликнулся на призывы правительства и начал инвестировать в Казахстан. А таких на самом деле было немало, особенно после запрета майнинга в Китае.

Внезапные налоги, запреты и ограничения — это вообще излюбленная практика ручного управления. Но сегодня такое решение способно надолго отпугнуть и тех немногих иностранных инвесторов, которые у нас остались. В деловом мире есть понятие гудвилл — оценка деятельности с точки зрения деловых качеств. К странам такое понятие обычно не применяют, но Казахстан только что сильно потерял в своей деловой репутации, причем не те пару десятков миллиардов тенге, а гораздо больше.

Просто представьте себе, что вы согласились принять приглашение на работу в другой город, получили оффер, согласились, продали свою квартиру, перевезли семью, обустроились на новом месте, а договор с вами… внезапно меняют и говорят, что вместо обещанного в оффере вознаграждения вы получите сильно меньше или вообще ничего. Правда о деловой репутации такой компании вы не будете говорить ничего хорошего? Так и Казахстан — мы достаточно активно завлекали инвесторов в майнинг, легализировали его в законодательстве, приглашали строить центры обработки данных, а в итоге, когда все это было сделано и отрасль наконец-то начала расти… оказалось, что надо все сворачивать, потому что у нас просто не хватает электроэнергии.

Не стоит сейчас решать, хорошая или плохая отрасль — майнинг, это совершенно не важно. Важно то, что Казахстан раз за разом не соблюдает собственные правила игры, меняя их внезапно и без предупреждения. Мы декларируем открытость экономики, но по факту в любой сфере завтра могут быть приняты такие законы и постановления, которые сделают работу иностранных инвесторов невыгодной или просто невозможной. И если речь об электроэнергии — то, конечно же, надо не допустить ее дефицита, но тогда кому-то из нацкомпаний стоит выйти и честно сказать, что энергетический кризис намного ближе, а не гордиться из года в год профицитом электроэнергии.

Андрей Чеботарев, аналитик международной инвестиционной компании EXANTE в Казахстане

При работе с материалами Центра деловой информации Kapital.kz разрешено использование лишь 30% текста с обязательной гиперссылкой на источник. При использовании полного материала необходимо разрешение редакции.

Lịch trình di chuyn của ca bệnh 3263 ở toà nhà The Legacy

Theo báo cáo của Trạm Y tế phường Nhân Chính (quận Thanh Xuân), BN3263 là chị sin LMHăaa, 1986, 1986 là chị sin LMHăa, n, 1986 Наследие (số 106 Ngụy Như Kon Tum, phường Nhân Chính, quận Thanh Xuân). A chỉ nơi làm việc tại tòa nhà Peak View 36 Hoàng Cầu, quận Đống Đa.

8 9/5 9000 9000 9000 9/5 9000 9000 9000 9/9 9000 9000 за 9148 г. 8/9 6h40, chị L.M.H n Bệnh viện K Tân Triều xếp hàng ly số khám cho em trai tại khoa Tiêu hóa. 8h vào phòng khám Tiêu hóa, sau ó i sang khu chụp CT và lên khu nội soi đại trực tràng (ngồi góc riêng không tiếp xúc với ai vì có bầu).

11.40, chị L.M.H về nhà em trai căn hộ tầng 11 CT12 B Chung cư Ким Ван, Ким Лу (nhà có em trai và mẹ). 14h vào viện lấy kết quả. 14h40 a e trai ra khu lấy mau tầng 1, khu B. 16h40 lấy kết quả trong phòng bác sỹ và đi về nhà.

21:30 ра Imperia Nguyễn Huy Tưởng xuống sân vườn ngồi nói chuyện với chị gái đến 22h40 về nhà.

Ngày 5/5 : Khoảng 12h, chị L.M.H n công ty tầng 16 tòa nhà Peak View, 36 Hoàng Cầu tiếp xúc với 1 nhân viên (cách 1m có eo khu.)

12 ч. 40 мин. 2 часа в сутки, 2 часа в сутки, Лотте Нгуен Туан ан га ран (tiếp xúc với 3-4 nhân viên bán hàng có eo khu trang) в течение 14 часов в сутки.

15h lên công ty 36 Hoàng Cầu gặp 1 ng nghiệp khoảng 30 phút, ngồi cách 1m, cả 2 eo khu trang đến 16h40 về nhà không đi âu.

Ngày 6/5 : Đi siêu thị Vinmart tòa Thanh Xuân Complex mua hoa quả (không nhớ khung giờ), thanh toán có 1 nhân viên eo khẩu trang.

16h n công ty của chồng (a chỉ: Trung Yên 6, Trung Hòa, Cầu Giy) đi cùng 1 người đến gặp chồng và 1 nhân viên cơ quan chồng (cề) .

Нгай 7/5 : 10-11 ч. Лин ван пхунг công ty gửi hồ s cho kế toán có gặp 1 ng nghiệp gửi lại không tiếp xúc trực tiếp.

Ngày 8/5 : 8:30 khám thai tại Phòng khám 43 Nguyễn Khang. Có tiếp xúc với 2 bác sĩ đến 9h40 về nhà.

10h gọi cho Trạm Y tế phường Nhân Chính khai báo y tế và cách ly tại nhà theo hướng dẫn.

T 15.20 в 15.40 đến Trạm Y tế phường Nhân Chính ly phiếu xét nghiệm. В 15:40 и в 15:55: Lấy mẫu xét nghiệm; sau đó về nhà và cách ly tại nhà.

Hà Nội: Cận cảnh ón bệnh nhân 3263 n khu cách ly, iều trị COVID-19 | Tin tức mới nhất 24h — Đọc Báo Lao ng онлайн

LĐO |

15 ч 40 мин 9.5, bệnh nhân 3263 (a chỉ tại 106, Ngu Như Kon Tum, Thanh Xuân, Hà Nội) ã được a n khu iều trị dành cho bệnh nhân mắc COVID-19.

Sáng nay 9.5, Trung tâm kiểm soát bệnh tật Hà Nội đã thông báo thêm 3 ca bệnh COVID-19 liên quan đến 2 ổ dịch tại Bnh viện Bnh nhiệt đới vi. Trung tâm kiểm soát bệnh tật Hà Nội, BN3263 là người liên quan đến Bệnh viện K cơ s Tân Triều. Bnh nhân L.M.H, nữ, sinh năm 1986, a chỉ tại 106 Ngụy Như Kon Tum, Nhân Chính, Thanh Xuân, là người nhà a bệnh nhân n khám tại khoa khám.5, được Trung tâm Y tế Thanh Xuân lấy mẫu xét nghiệm ngày 8.5 cho kết quả dương tính. Tuy nhiên, n 15h40 cùng ngày, xe cấp cứu 115 mới có mặt tại toà nhà nơi bệnh nhân sinh sống để ón bệnh nhân này on bnh nhân này n a điểm cá дю Киен, Nhan VIEN у tế 115 чо Biet:. «Nhan được THONG олова điều х ди chuyển bệnh Nhan MaC COVID-19 từ Nội ö Ve кху điều TRI, Chung TOI nhanh Chong САП XEP х Туй nhiên, Лыонга х không đáp ứng ngay lập tức như dự kiến ​​».Nhân viên 115 chỉnh trang lại đồ bảo hộ trước khi đón bệnh nhân lên xe. Nhân viên y tế liên lạc với BN3263 và dặn dò bệnh nhân nhớ mang theo đồ dùng cá nhân cần thiết và chỉ đi một mình.Sau khi xuống sảnh toà bnh. đồ dùng ma nữ bệnh nhân này mang theo được khử khuẩn trước khi được mang đến bệnh viện. Được biết nữ bệnh nhân 3263 hiện đang mang thai.Tất cả người thuộc diện F1 của nữ bệnh nhân trên hiện đang được lực lng y tế truy vết, sàm lcNgay sau khi BN3263 lên xe di chuyển đến khu điều trị dành cho bệnh nhân mắc COVID-19, lực lng y tế ngay lập tức phun khử khuẩn toàn bộ qua nhânnn.

Unacademy оценена в 3,4 млрд долларов в раунде финансирования

под руководством Temasek на 440 млн долларов

Sorting Hat Technologies, родительская компания Unacademy, базирующаяся в Бангалоре, привлекла 440 миллионов долларов (3263 крор рупий) в рамках нового раунда финансирования, проводимого Temasek Holdings, что дало фирме edtech новую огневую мощь в борьбе с более крупным конкурентом BYJU.

Гаурав Мунджал, соучредитель Unacademy, написал в Твиттере, что последнее финансирование было привлечено на сумму 3,44 миллиарда долларов. Это более чем вдвое превышает оценку стартапа менее чем за год с тех пор, как платформа онлайн-обучения получила статус единорога в сентябре 2020 года.

Существующие инвесторы SoftBank Group Corp, General Atlantic и Tiger Global Management приняли участие в последнем раунде финансирования. Он добавил, что в раунде участвовали Мираэ Ассет, основатель OYO Ритеш Агарвал и соучредитель Zomato Дипиндер Гоял.

Он сказал, что Unacademy будет создавать и масштабировать три основных продукта.

Последние данные о финансировании свидетельствуют о сохранении интереса инвесторов к сегменту образовательных технологий с момента начала пандемии в прошлом году. В прошлом году Byju и Unacademy не только получили новый капитал, но и активно занимались приобретениями.

Сама компания

Byju в этом году совершила семь приобретений. Буквально на прошлой неделе гигант образовательных технологий заявил, что потратит 750 миллионов долларов на покупку Toppr из Мумбаи и Great Learning из Сингапура.Эти приобретения произошли сразу после того, как через неделю компания купила американскую Epic за 500 миллионов долларов. Ранее в этом году Byju приобрел сеть автономной подготовки к тестам Aakash Institute почти за 1 миллиард долларов в апреле.

Прочитано: Благодаря Epic, Toppr и Great Learning BYJU в 2021 году добьется приобретений на сумму более 2 миллиардов долларов

Unacademy сделала девять приобретений с октября 2018 года. В этом году она приобрела Rheo TV и TapChief за нераскрытую сумму.

Unacademy был основан как образовательный канал на YouTube в 2016 году Мунджалом, Романом Шайни, Хемешем Сингхом и Сачином Гуптой.В сентябре прошлого года он собрал 150 миллионов долларов (1094 крор) в рамках нового раунда финансирования, возглавляемого SoftBank, благодаря чему образовательная компания превратилась в знаменитый клуб стартапов-единорогов стоимостью 1 миллиард долларов и более. Позже в ноябре к ним в качестве новых инвесторов присоединились Tiger Global Management и Dragoneer Investment Group. Ранее в январе Tiger Global, Dragoneer Investment Group, Steadview Capital и General Atlantic приобрели акции на сумму 50 миллионов долларов (366 крор рупий) у других существующих инвесторов.

На прошлой неделе Unacademy объявила об опционах на акции для своих 300 преподавателей.В связи с тем, что в экосистеме созревает несколько стартапов и увеличивается количество раундов роста, в 2021 году произошло несколько событий ликвидности ESOP для компаний, включая Locus, Moglix, Flipkart, upGrad и Whatfix.

Unacademy объявила о своем втором мероприятии по ликвидности ESOP в декабре 2020 года с пулом выкупа от 25 до 30 крор рупий.

Он также расширил свой пул ESOP в мае 2020 года. Платформа для подготовки к тестам также недавно объявила о гранте в размере 100 крор для учителей, влиятельных лиц, создателей контента и предметных экспертов для запуска своей онлайн-академии на своей новой платформе продукта Graphy.

Гексагональный MoTe2 с пассивирующим слоем из аморфного BN для повышения стойкости к окислению и долговечности полевых двумерных транзисторов

Расслоение материала и его характеристики

На рисунке 1а показано оптическое изображение отслоившейся чешуйки 2H-MoTe 2 . Оптический контраст нескольких слоев и объемных чешуек на подложках SiO 2 / Si дает хорошее представление о толщине чешуек, поскольку известно, что двумерные чешуйки, содержащие от одного до нескольких слоев, имеют более темный оптический цвет, чем объемный материал, из-за изменения оптический контраст с подложкой SiO 2 / Si 34 .АСМ от бесконтактного сканирования показан на рис. 1b, демонстрируя хорошую однородность толщины темно-зеленой области на рис. 1a. Линейное сканирование измеряет разницу высот 2,30 нм, что соответствует трехслойному MoTe 2 35 . Спектр комбинационного рассеяния на рис. 1c четко показывает три отдельных пика, типичных для MoTe 2 при 170 см −1 , 235 см −1 и 289 см −1 , соответствующих A 1g , E 1 2g и B 2g фононные моды соответственно 36 .Мода A 1g возникает из-за внеплоскостных фононных колебаний и обычно является слабой для лазерных возбуждений с длиной волны 532 нм 37 . Пик E 1 2g является доминирующей модой и соответствует атомным колебаниям в плоскости, и было показано, что он демонстрирует сильный сигнал для MoTe 2 в 2D-форме и относительно слабый для объемного материала 36 . Мода B 2g соответствует внеплоскостному взаимодействию соседних слоев и имеет интересное свойство, в котором она явно присутствует для 2–5 слоев MoTe 2 , но отсутствует ни для монослоя, ни для объемной толщины.Сообщается, что этот пик имеет самое сильное значение для 2 слоев и быстро уменьшается с увеличением толщины, пока не исчезнет после 5 слоев 34 . Следовательно, относительные интенсивности пиков E 1 2g и B 2g могут использоваться для определения толщины слоя и проверки измерений АСМ, как показано на рис. 1b. Для всех чешуек MoTe 2 , выбранных для этого исследования, спектры комбинационного рассеяния показали сильный пик E 1 2g и менее интенсивные пики A 1g и B 2g , что согласуется с измерениями толщины трех слоев. с АСМ (рис.1в).

Рисунок 1

( a ) Оптическое изображение расслоенной чешуйки MoTe 2 на подложке SiO 2 / Si: часть из нескольких слоев может быть идентифицирована по темно-зеленому цвету, а основная часть — светлее цвет морской волны. ( b ) АСМ-изображение и линейное сканирование (пунктирная черная линия) из многослойного участка чешуйки на 1a: профиль высоты из линейного сканирования измеряет разницу в 2,30 нм, что соответствует 3 монослоям MoTe 2 . ( c ) Рамановский спектр чешуек MoTe 2 , который согласуется с несколькими слоями MoTe 2 .

Для анализа скорости термической деградации 2D MoTe 2 с течением времени, спектры комбинационного рассеяния, сравнивающие 2H-MoTe 2 E 1 2g , режим для образцов, нагретых до 100 ° C в течение 60 мин с 10 min приращения были собраны и показаны на рис. 2а. Подгонка пика Гаусса для моды E 1 2g определила, что эта мода колебаний сохраняет свое положение на ≈ 234 см −1 на протяжении всего эксперимента, что позволяет предположить, что 2H-MoTe 2 не претерпел изменения толщины после 60 мин термообработки 100 ° C на воздухе.Однако пик E 1 2g демонстрирует непрерывное снижение интенсивности по сравнению с его максимальным значением при комнатной температуре, и на скорость этого снижения сильно влияет присутствие покрывающего слоя BN. Рамановский анализ не показал присутствия мод колебаний MoO 3 или MoO 2 для хлопьев 2H-MoTe 2 как без блокировок, так и для хлопьев 2H-MoTe 2 , покрытых альфа-BN, что позволяет предположить, что не образовывались отдельные фазы кристаллической структуры оксида молибдена. Однако анализ XPS, обсуждаемый ниже, показывает, что нагревание на воздухе привело к окислению поверхности.Нормализация пиков E 1 2g к пику комбинационного рассеяния кремния при 520 см -1 позволяет сравнивать хлопья без колпачков и хлопья, закрытые BN. Рисунок 2b ясно показывает, что MoTe 2 без колпачков демонстрирует гораздо большую скорость затухания рамановской моды E 1 2g . Это, вероятно, вызвано затуханием межслойных мод колебаний с увеличенными дефектами решетки и внутренними атомными напряжениями из-за вакансий Te и кислородных замещений.Напротив, нормализованные спектры комбинационного рассеяния образца MoTe 2 с блокировкой BN сохраняли пиковую интенсивность E 1 2g после 60 минут нагревания, см. Дополнительные данные на рисунке S1. Применяя линейную аппроксимацию данных, наклон аппроксимирующих линий позволяет предположить, что скорость затухания для моды E 1 2g в материале 2H-MoTe 2 при времени воздействия 100 ° C на порядок выше, чем что для 2H-MoTe 2 / a-BN, (8,3 × 10 −3 мин −1 по сравнению с 8.1 × 10 −4 мин −1 соответственно). Результаты ясно продемонстрировали преимущество защитного слоя BN для сохранения структуры 2H-MoTe 2 при повышенных температурах воздуха.

Рис. 2

( a ) Рамановские спектры вариации интенсивности пика E 1 2g для хлопьев 2H-MoTe 2 толщиной в несколько монослоев, подвергнутых воздействию температуры 100 ° C на воздухе в течение указанных интервалов времени. ( b ) Сравнение E 1 2g изменения интенсивности пиков в зависимости от времени выдержки на воздухе 100 ° C для хлопьев MoTe 2 без колпачков и MoTe 2 без колпачков; Чтобы облегчить сравнение и избежать ошибок из-за изменения абсолютной интенсивности пика во времени, пиковая интенсивность была нормирована на пик подложки Si (520.5 см −1 ). Показанная линейная аппроксимация была использована для расчета снижения пиковой интенсивности E 1 2g из-за процессов окисления для 2H-MoTe 2 и 2H-MoTe 2 / a-BN.

Для более подробного исследования изменений химического состояния MoTe 2 после воздействия повышенных температур на воздухе, XPS-анализ был проведен на отслоившихся хлопьях со слоями BN и без них после нагревания при 100 ° C в течение 60 мин. Результаты представлены на рис.3 и XPS-спектры хлопьев MoTe 2 перед нагреванием можно найти на дополнительном рисунке S2. Чешуйка MoTe 2 без покрытия показывает три отдельных пика для орбитали Mo 3d, которые можно увидеть в верхнем спектре на рис. 3a. Записанные деконволюции спектров с 3d-дублетами показывают явное присутствие двух химических состояний с положениями пиков Mo 3d 3/2 при 234,6 и 231,5 эВ. Дублет с более высокой энергией связи принадлежит Mo 6+ в MoO 3 , а нижний — Mo 4+ в MoTe 2 38 .Это свидетельствует о частичном окислении поверхности MoTe 2 . Напротив, аналогичный анализ образца MoTe 2 / BN после 60 мин выдержки при 100 ° C на воздухе показывает только один дублет с положением пика Mo 3d 3/2 при 231,4 эВ, что указывает на отсутствие окисления молибдена. при нанесении покровного слоя БН. Аналогичное наблюдение за BN-покрывающим слоем, предотвращающим окисление, можно сделать из соответствующих спектров РФЭС Te 3d, показанных на рис. 3b. У незащищенного MoTe 2 (верхний спектр) преобладают пики Te-O при 575.92 эВ и 586,42 эВ, что соответствует образованию TeO 2 . С другой стороны, образец с блокировкой BN (нижний спектр) имеет доминирующие пики при 572,9 и 583,4 эВ и значительно более слабые пики Te-O при 576,3 и 586,8 эВ. Это предполагает, что нагревание незащищенного MoTe 2 на воздухе приводит к возможному окислению, о чем свидетельствует появление связей Mo-O и Te-O в спектрах РФЭС. Для образца MoTe 2 / BN этот процесс был значительно подавлен. Анализ XPS подтвердил исследования комбинационного рассеяния света, что нанесение слоя BN толщиной 10 нм может эффективно противостоять окислению MoTe 2 при повышенных температурах воздуха.

Рисунок 3

XPS-анализ энергий связи ( a ) Mo 3d и ( b ) Te 3d для 2H-MoTe 2 и 2H-MoTe 2 хлопьях / a-BN после 60 минут выдержки. Нагрев 100 ° C. Образец, покрытый BN, сохраняет свои связи Mo-Te, демонстрируя повышенную стойкость к окислению, в то время как появление связей Mo-O и Te-O в устройстве без колпачка предполагает значительное окисление MoTe 2 с образованием MoO 3 и TeO 2 фаз.

Электрические измерения устройств без колпачков и BN-покрытий

Для определения влияния покрывающего слоя a-BN на характеристики переноса удерживаемого заряда и характеристики полевого транзистора на основе MoTe. устройства были изготовлены из хлопьев MoTe 2 толщиной в несколько слоев на SiO 2 с использованием электронно-лучевой литографии. Ранее было определено, что этот аморфный слой BN представляет собой диэлектрический материал без точечных отверстий с характеристикой пробоя и диэлектрической проницаемостью, превышающей пленки h-BN, выращенные методом химического осаждения из паровой фазы, что приближается к показателям механически расслоенных h-BN 30,31 .Такой метод осаждения идеален для экономичного применения диэлектрического слоя BN для 2D-гетероструктур по сравнению с другими методами выращивания 2D BN 26 . В недавних исследованиях аморфного BN, выращенного методом PLD, было обнаружено, что диэлектрические свойства были близки к свойствам h-BN и были такими же гладкими, как и нижележащие подложки, где графен, MoS 2 , WS 2 и различные металлические и керамические подложки были протестированы с одинаковым результатом по гладкости a-BN и морфологии без отверстий на нескольких см 2 областей 30,31,39 .Хотя систематических исследований для определения инертности a-BN не проводилось, более ранние исследования гетероструктур a-BN / графен показали значительное увеличение подвижности в монослоях графена, когда он был зажат с a-BN, что связано с инертностью a-BN. аналогичен однослойному тонкому h-BN 32 . Также сообщалось о стабилизации характеристик переноса заряда эпитаксиально выращенного графена в воздухе путем нанесения покрывающего слоя a-BN 40,41 . Затем мы разумно ожидали подобного эффекта с устройствами MoTe 2 , и это впервые исследуется в данном исследовании при повышенных температурах воздуха.Схема устройства с обратным затвором на полевом транзисторе, сделанном из MoTe 2 и включающем покрывающий слой BN, изображена на фиг. 4a, а пример такого изготовленного устройства показан на оптическом изображении на фиг. 4b.

Рисунок 4

( a ) Схематическое сечение устройства с обратным затвором на полевых транзисторах и MoTe с покрытием из BN 2 . ( b ) Оптическое изображение типичной многослойной чешуйки MoTe 2 с контактами стока истока Ti / Au, нанесенными методом EBL. ( c ) Примеры измерений тока стока в зависимости от напряжения затвора для устройства MoTe 2 , датированного задним числом.Напряжение стока поддерживалось на уровне 1 В постоянного тока. Непокрытое устройство MoTe 2 демонстрирует исходное поведение полупроводников n-типа, которое переключается на p-тип после 150 ° C. ( d ) Устройство BN / MoTe 2 сохраняет гораздо большую степень стабильности при температуре 100 ° C и демонстрирует переключение полярности на поведение p-типа намного позже при 200 ° C.

Электрические характеристики устройств на полевых транзисторах с обратным затвором, отожженных от комнатной температуры до 300 ° C, показаны на рис. 4. Устройства MoTe 2 / BN и MoTe 2 в отслоенном виде подвергались бок о бок повышенной температуре на воздухе. и выдерживали 1 мин при заданной температуре в атмосферных условиях перед охлаждением и измерением их работоспособности.На рисунке 4c представлен полулогарифмический график тока стока ( I dc ) в зависимости от напряжения затвора ( В г ) для устройства MoTe 2 , поскольку температура отжига систематически повышалась от комнатной до 300 ° C с шагом 50 ° C. Первоначально устройство демонстрирует поведение n-типа, на что указывает положительный наклон, при этом максимальный ток немного уменьшается при повышении температуры до 100 ° C.При 150 ° C (розовая кривая) полярность переключается на p-тип, на что указывает отрицательный наклон. При 200 ° C устройство работает как p-тип, но также демонстрирует полуметаллические свойства, на что указывает линейный наклон. Для многослойных материалов этой температуры достаточно, чтобы сублимировать Те непосредственно в парообразное состояние, оставляя после себя атомы Мо, которые будут вносить вклад в металлические свойства.

A полулогарифмический I dc — V г График для прибора MoTe 2 / BN представлен на рис.4г. Кривая тока стока остается очень стабильной до 100 ° C. При 150 ° C происходит резкое падение тока, однако устройство остается n-типа, на что указывает наклон кривой тока стока для положительных напряжений затвора. Однако после термообработки при 200 ° C ток стока переключается на отрицательные напряжения затвора и уменьшается на положительные напряжения затвора, указывая на переключение на работу полупроводников p-типа. Когда температура достигла 250 ° C, мы заметили, что канал потерял полупроводниковые свойства и не реагировал на изменение напряжения затвора, что предполагает деградацию MoTe 2 .При 300 ° C сами контакты Ti / Au вышли из строя, и дальнейшее повышение температуры не производилось. Исследования контактов с помощью сканирующей электронной микроскопии показали, что эти тонкие металлические пленки высыхают (дополнительные данные, рис. S3), что приводит к нарушению проводящих путей. Такое обезвоживание ожидается для тонких электродных материалов из-за низкой температуры плавления золота, и для экспериментов при более высоких температурах могут потребоваться другие электродные материалы.

Подвижность на основе полевого эффекта рассчитывалась по I dc — V г и приведена при различных температурах отжига в таблице 1.Перед выполнением любого температурного воздействия измерения изготовленных устройств (23 ° C в таблице 1) ясно показывают, что покрытие MoTe 2 с помощью BN оказывает значительное влияние на улучшение подвижности, как измеренные значения для MoTe 2 / BN. устройств было в пять раз больше, чем у MoTe 2 без колпачка. Абсолютные значения измерений подвижности при комнатной температуре в литературе варьируются от 0,03 до 20 см. 2 V −1 с −1, 11,12,14,42,43 .Хотя наши результаты находятся в пределах указанного диапазона, наше исследование демонстрирует влияние покрывающего слоя a-BN на стабильность устройства во время нагрева, как описано ниже.

Таблица 1 Подвижность устройств без колпачков (MoTe 2 ) и BN-покрытых (BN / MoTe 2 ) устройств в зависимости от температуры с типом носителя.

Полевая подвижность MoTe, покрытого BN 2 (красный), поддерживается в районе 0,8–1 см 2 (В с) –1 до 150 ° C, где она резко падает до 0.2 см 2 (В с) −1 . Кроме того, после 200 ° C показано, что значения подвижности меняют полярность с n-типа на p-тип. Напротив, MoTe 2 без покрытия имеет гораздо меньшую начальную подвижность и подвергается переключению полярности уже при 150 ° C. Наконец, при 200 ° C абсолютная величина подвижности незначительно увеличивается. Переход от исходного поведения n-типа к p-типу может быть связан с включением кислорода в слои MoTe 2 , обнаруженным в результате исследований XPS (рис. 3). Предыдущие сообщения о DFT-моделировании взаимодействий кислорода с MoTe 2 и образования связей Mo-O и Te-O могут привести к образованию состояний ловушек на глубоких уровнях, расположенных на 0.На 4 эВ ниже минимума зоны проводимости 44 . Такие состояния могут действовать как акцепторные центры, эффективно приводя к переключению на поведение p-типа, поскольку количество кислородных заменителей теллура в решетке MoTe 2 увеличивается при более высоких температурах воздуха. Это дополнительно подтверждается отложенным переключением полярности в наших экспериментах с устройством, покрытым BN, которое защищает MoTe 2 от диффузии кислорода и последующего замещения в узлах Te.

Чтобы изучить влияние слоя BN на повышение износостойкости характеристик устройства MoTe 2 в окислительной среде, устройства на полевых транзисторах выдерживали при постоянной температуре 100 ° C в течение постепенно увеличивающегося времени от 5 минут до одного часа. I постоянного тока -V г Кривые , отображающие изменение электрических свойств MoTe 2 и MoTe 2 / BN при увеличении времени выдержки до 100 ° C на воздухе, отображаются в виде полулогарифмических графиков на рис. 5a, b, соответственно. Устройства MoTe 2 без колпачков (рис. 5а) демонстрируют значительное уменьшение максимального тока стока после первых 5 минут, что позволяет предположить, что окисление поверхности происходит почти сразу.Первоначально устройство активно в области положительного напряжения затвора, что указывает на поведение n-типа. Однако по мере увеличения времени нагрева максимальные токи стока уменьшаются и переходят в область отрицательного напряжения затвора, что указывает на поведение p-типа. На этом переходе n- к p-типу (около 10–15 мин) устройства проявляют амбиполярное поведение. Для устройств MoTe 2 / BN (рис. 5b) максимальный ток стока также уменьшается с увеличением времени нагрева, но более стабильно и остается ненулевым даже после 60 минут воздействия 100 ° C на воздухе.Кроме того, устройства MoTe 2 / BN не претерпевают переключения полярности на p-тип и никогда не теряют поведение n-типа (рис. 5b).

Рисунок 5

Измерения тока-напряжения ( a ) MoTe 2 и ( b ) BN / MoTe 2 полевых транзисторов с обратным затвором, которые выдерживались при 100 ° C на воздухе в течение длительного времени увеличивается, как показано в метках данных. Напряжение стока поддерживалось на уровне 1 В постоянного тока. ( c ) Подвижность устройств MoTe 2 и MoTe 2 / BN показана как отношение к их начальной подвижности и нанесена на график как функция времени выдержки устройства при температуре 100 ° C на воздухе.Через 30 минут подвижность электронов устройства MoTe 2 без колпачка упала ниже уровня шума измерения и, таким образом, не отображается на графике. ( d ) Полугодовой график сравнения отношений включения / выключения устройств MoTe 2 и MoTe 2 / BN. Устройство с покрытием BN поддерживает значительно более высокое соотношение на протяжении всего эксперимента, в то время как количество устройств без колпачков быстро уменьшается.

На рис. 5c показана подвижность полевого эффекта, определенная после нагревания до 100 ° C на воздухе, для исследования износостойкости MoTe 2 полевого транзистора и защитного эффекта покрывающего слоя a-BN.Начальные (до нагрева до 100 ° C на воздухе) значения подвижности электронов использовались для нормализации графика данных, чтобы продемонстрировать скорость изменения характеристик устройства с течением времени. Оба устройства MoTe 2 и MoTe 2 / BN претерпевают быстрое снижение подвижности по сравнению с их исходной подвижностью после первых 10 минут до выравнивания через 20-60 минут, что позволяет предположить, что поверхностные изменения MoTe 2 происходят очень быстро. Устройства MoTe 2 без колпачков демонстрируют большее снижение мобильности на основе полевого эффекта по сравнению с устройствами MoTe 2 / BN.Кроме того, устройства MoTe 2 / BN сохраняют свои характеристики n-типа в течение всего периода тестирования без сбоев, подтверждая, что укупорка a-BN является хорошим выбором для улучшения долгосрочной производительности устройства в дополнение к улучшенной общей мобильности. значения обсуждались ранее. Изменение соотношения включения / выключения при воздействии 100 ° C на воздухе показано на рис. 5d. Устройство MoTe 2 / BN поддерживает значительно более высокое отношение, около 10 2 в течение всего 60-минутного времени эксперимента, в то время как соотношение включения / выключения для устройства MoTe 2 без колпачка быстро уменьшается.

В заключение, долговечность будущих устройств 2D TMD будет зависеть от решений, предотвращающих деградацию материала во время их изготовления и эксплуатации. Умеренный нагрев незащищенного расслоенного 2H-MoTe 2 на воздухе показывает значительное окисление поверхности MoTe 2 толщиной в несколько слоев, что приводит к ухудшению рабочих характеристик полевого транзистора. Окисление можно существенно уменьшить, если покрыть 2H-MoTe 2 слоем a-BN толщиной 10 нм, нанесенным методом импульсного лазерного осаждения.Для незащищенного 2H-MoTe 2 окисление, вызванное температурой, приводит к структурным дефектам MoTe 2 с включением кислорода и появлением связей Mo-O и Te-O в спектрах XPS. Однако отсутствие структуры MoO 3 в данных комбинационного рассеяния сигнализирует о том, что частичное окисление происходит в форме кислородных дефектов в местах вакансий Те или физиологического поглощения на узлах поверхности Те. Это сопровождается уменьшением подвижности полевого эффекта и возможным переходом от полупроводникового поведения n- к p-типу при температуре около 150 ° C.Было показано, что устройства, состоящие из 2H-MoTe 2 с пассивирующим слоем a-BN, обладают улучшенными полевыми характеристиками подвижности и значительно подавляют деградацию материала в результате окисления при нагревании на воздухе. Для изготовленных полевых транзисторов MoTe 2 / BN переключение полярности, вызванное окислением, было отложено до температуры 200 ° C и, как таковое, сохраняло подвижность n-типа и стабилизированное соотношение включения / выключения при длительном воздействии до 100 ° C на воздухе. . Таким образом, аморфный BN оказался эффективным подходом для предотвращения окисления 2H-MoTe 2 и повышения долговечности устройства 2D FET и его общих характеристик.Учитывая масштабируемость большой площади, рост комнатной температуры и универсальность пассивирующего слоя a-BN, производимого PLD, исследованные структуры 2H-MoTe 2 / a-BN могут быть полезны для электронных и оптоэлектронных устройств.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Страница не найдена — In Good Health — Центральная газета здравоохранения Нью-Йорка


Устарело : Синтаксис доступа к массиву и строке с фигурными скобками не рекомендуется в / home / ynpa3lh8zp34 / public_html / cnyhealth.com / index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php on line 1

Устарело : Синтаксис доступа к смещению массива и строки с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php on line 1

Устарело : Доступ к синтаксису и смещению строки с фигурными скобками устарел в / home / ynpa3lh8zp34 / public_html / cnyhealth.com / index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php on line 1

Устаревший доступ : Смещение массивов и строк синтаксис с фигурными скобками устарел в / home / ynpa3lh8zp34 / public_html / cnyhealth.com / index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php on line 1

Устаревший доступ : Смещение массивов и строк синтаксис с фигурными скобками устарел в / home / ynpa3lh8zp34 / public_html / cnyhealth.com / index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php on line 1

Устаревший доступ : Смещение массивов и строк синтаксис с фигурными скобками устарел в / home / ynpa3lh8zp34 / public_html / cnyhealth.com / index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php on line 1

Устаревший доступ : Смещение массивов и строк синтаксис с фигурными скобками устарел в / home / ynpa3lh8zp34 / public_html / cnyhealth.com / index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php on line 1

Устаревший доступ : Смещение массивов и строк синтаксис с фигурными скобками устарел в / home / ynpa3lh8zp34 / public_html / cnyhealth.com / index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php on line 1

Устаревший доступ : Смещение массивов и строк синтаксис с фигурными скобками устарел в / home / ynpa3lh8zp34 / public_html / cnyhealth.com / index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php on line 1

Устаревший доступ : Смещение массивов и строк синтаксис с фигурными скобками устарел в / home / ynpa3lh8zp34 / public_html / cnyhealth.com / index.php в строке 1

Устаревший : Синтаксис доступа к смещению массивов и строк с фигурными скобками устарел в /home/ynpa3lh8zp34/public_html/cnyhealth.com/index.php в строке 1

Страница не найдена — In Good Health — Central New York’s Healthcare Newspaper перейти к содержанию

Похоже, здесь ничего не было найдено.Вместо этого вы можете попробовать поискать.

404 ошибка

Последний выпуск

Справочник по здравоохранению на 2021 год

Категории

3263 BN | Zilvermeeuw (Oud-Beijerland)

Вся информация по почтовому индексу 3263 BN.Deze postcode hoort bij de straat Zilvermeeuw в Oud-Beijerland, gelegen in de buurt

Информация по почтовому индексу 3263BN в Oud-Beijerland

Specifieke informatie kan ook op postcode-niveau worden getoond. Dit betreft tot op heden 112-berichten, nieuw ingeschreven bedrijven, faillissementen, aanvragen voor vergunningen en te koop staande woningen. Hieronder een overzicht voor de postcode 3263BN, gelegen in de buurt in de wijk in de gemeente.

Weet wat er in je buurt gebeurt

Blijf op de hoogte van wat er in je buurt gebeurt встретил onze buurtmailing!

Trung tâm Y tế quận Thanh Xuân tổ chức xét nghiệm phát hiện SARS-CoV-2 cho các đối tượng nguy cơ
Algemene informatie через почтовый индекс 3263BN:
Straat: Zilvermeeuw
Huisnummers: 5 , 7 , , 17 , 19 , 21 , 23 , 25 , 27 , 29 , 31
Почтовый индекс: ► 3263 BN
► Oud-Beijerland
Gemeente: ► Gemeente Hoeksche Waard
Regio: ► Regio Hoeksche Waard
Z0007 ProvincieWOZ-waarde
почтовый индекс:
€ 161.429
Netnummer: 0186
Zelfde straat:

Duurzame mogelijakheijk het2 voordelig есть. Door simpelweg op een dak te klikken komt all benodigde informatie beschikbaar.

Zonnepanelen

Groen dak

Water dak

Groen / zonnepanelen dak

Ongeschikt dak

Op grote schaal verduurzamen? Met de Duurzame Daken Kansenkaart ziet u op gebieds- of wijkniveau welke duurzame invulling optimaal is.

Geen monmenten gevonden in deze почтовый индекс.

Toegevoegd Bedrijfsnaam Vestigingsplaats KVK-nr
18-08-2017 LOB & Loopbaanleren Advies 9008 9707 9707 Oudbaanleren Advies
Zilver 9707 970 9707 Oudme 7

Geen recnte faillissementen in deze почтовый индекс gevonden.


Geen recnte вакансии в deze почтовый индекс gevonden.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.